### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 300V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 300V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 400mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 400 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage for efficient switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  
- Compact SOT-23 package for space-saving PCB designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official SEC datasheet.