### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 300V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 300V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 50mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 320  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage NPN transistor suitable for switching and amplification applications.  
- Designed for general-purpose use in electronic circuits.  
- Low noise and high gain performance.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Suitable for applications in power supplies, audio amplifiers, and signal processing.  

(Note: Verify datasheet for exact parameters as variations may exist.)