### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** KSC3265-Y-MTF  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 100mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (typical)  
- **Transition Frequency (ft):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- A general-purpose NPN transistor suitable for amplification and switching applications.  
- Designed for low-power, high-frequency circuits.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for surface-mount technology (SMT) applications.  
- RoHS compliant.  

Let me know if you need additional details.

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-126 (MTF)  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 600V  
  - **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 700V  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 7V  
- **Current Ratings:**  
  - **Collector Current (I_C):** 3A  
  - **Base Current (I_B):** 1A  
- **Power Dissipation (P_C):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40 (at I_C = 1A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage switching and amplification applications.  
- Suitable for power supply circuits, inverters, and motor control.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High breakdown voltage for robust performance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.