**Part Number:** KSC3233DTF  

**Specifications:**  
- **Type:** Transistor (BJT - Bipolar Junction Transistor)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 300V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 300V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 150  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

**Descriptions and Features:**  
- High-voltage NPN transistor suitable for switching and amplification applications.  
- Designed for general-purpose use in electronic circuits.  
- Compact TO-92 package for easy mounting on PCBs.  
- Suitable for low to medium power applications.  
- RoHS compliant (lead-free).  

(Note: Always verify datasheet details for exact application suitability.)

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 150V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-320 (at I_C = 0.1A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The KSC3233DTF is an NPN bipolar transistor designed for high-voltage, medium-power applications. It is commonly used in switching and amplification circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- Suitable for high-speed switching applications  
- Surface-mount package (DPAK) for compact PCB design  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.