NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSC3076YTU** is manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 900V  
- **Collector Current (I_C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40 (at I_C = 3A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KSC3076YTU** is a high-voltage NPN power transistor designed for switching and amplifier applications. It features a fully insulated TO-220F package, making it suitable for applications requiring electrical isolation.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (900V)  
- High current capability (6A)  
- Fully insulated package (TO-220F)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and power amplifier circuits  

This transistor is commonly used in power supplies, inverters, and high-voltage switching applications.

NPN Epitaxial Silicon Transistor