### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (Min)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, signal processing, and driver circuits.  
- Encapsulated in **TO-92** package.  
- Compliant with RoHS standards.  

(Source: UTG Datasheet for KSC2982)