### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 160V  
- **Collector Current (I_C):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15-60 (at I_C = 5A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 20MHz  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- High-voltage, high-current NPN transistor designed for power amplifier and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Suitable for general-purpose amplification and power switching circuits.  
- TO-220 package provides good thermal performance.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)