### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Silicon Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 3V  
- **Collector Current (I_C):** 50mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 150mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 600MHz  
- **Noise Figure (NF):** Low noise characteristics  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-frequency and low-noise amplification.  
- Suitable for RF and communication circuits.  
- Epitaxial construction ensures stable performance.  

### **Features:**  
- High transition frequency (600MHz) for RF applications.  
- Low noise figure for improved signal clarity.  
- Compact SOT-23 package for space-efficient designs.  
- Reliable performance in amplification circuits.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application conditions.)