### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 to 400 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- High current gain (h_FE) for amplification applications  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- High-speed switching capability  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  
- Suitable for general-purpose amplification and switching circuits  

This transistor is commonly used in audio amplifiers, signal processing, and low-power switching applications.