### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 @ I_C = 10mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power, high-speed circuits.  

### **Features:**  
- High current gain bandwidth product.  
- Low saturation voltage.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application suitability.)