### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-speed switching and amplification  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40-320 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- High current gain bandwidth product  
- Low saturation voltage  
- Suitable for general-purpose amplification and switching applications  
- Epitaxial planar construction for improved performance  

### **Package:**  
- TO-92 (Standard through-hole package)  

This transistor is commonly used in audio amplification, signal processing, and switching circuits.