### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-400 (at IC = 100mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power, high-speed circuits.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.