### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 150mA  
- **Total Power Dissipation (P_TOT):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 50 ~ 240 (at V_CE = 5V, I_C = 2mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency in switching circuits.  
- High current gain (h_FE) for signal amplification.  
- Compact SOT-23 package suitable for space-constrained PCB designs.  
- RoHS compliant.  

(Data sourced from KEC's official documentation.)