- **Specifications:**  
  - **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
  - **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30V  
  - **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
  - **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
  - **DC Current Gain (h_FE):** 100–320 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
  - **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
  - **Package Type:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  

- **Descriptions & Features:**  
  - Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
  - Low noise and high gain characteristics.  
  - Suitable for high-frequency circuits due to its transition frequency.  
  - Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
  - RoHS compliant.  

(Data sourced from SEC/Samsung Electronics documentation.)