**Part Number:** KSC2682-O-S  

**Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 20mA  
- **Power Dissipation (PC):** 150mW  
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz (minimum)  
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 100MHz)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for low-noise amplification in RF and high-frequency circuits.  
- High transition frequency (fT) for stable performance in amplification stages.  
- Low noise figure enhances signal clarity in sensitive applications.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability and performance consistency.  
- Suitable for VHF/UHF applications, oscillators, and communication devices.  

**Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor) surface-mount package.  

**Note:** Always refer to the official datasheet for precise electrical characteristics and application guidelines.