### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for low-noise, high-gain applications  
- Suitable for RF and general-purpose amplification  
- Encased in a TO-92 package  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Reliable performance in compact circuits  

(Note: Always verify datasheets for exact values before application.)