### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 150V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-320 (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- Suitable for use in power supply circuits, motor control, and audio amplification.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current gain with good linearity.  
- TO-220 package provides efficient thermal dissipation.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed electrical characteristics and application guidelines.)