### **Specifications:**
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification and switching  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 250mW  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**
The **KSC2331** is a general-purpose NPN transistor designed for high-frequency amplification and low-power switching applications. It is commonly used in audio amplifiers, signal processing circuits, and RF applications.

### **Features:**
- High current gain (hFE)  
- Low noise performance  
- Suitable for small-signal amplification  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting  

These details are based on the manufacturer's specifications for the **KSC2331** transistor by **SAMSUNG**.

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Package:** TO-92 (Through-Hole)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 160V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 50–160  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  

### **Descriptions:**  
The **KSC2331** is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in power supply circuits, audio amplifiers, and driver stages.  

### **Features:**  
- High voltage capability (160V V_CEO)  
- Medium current handling (1.5A)  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- Suitable for linear and switching applications  
- TO-92 package for easy PCB mounting  

This information is based strictly on manufacturer-provided data. Let me know if you need further details.