NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSC2328AYTA** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 320  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KSC2328AYTA** is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High voltage capability (160V V_CE)  
- Medium power dissipation (25W)  
- High current gain (h_FE range: 100–320)  
- Suitable for audio amplification and switching circuits  
- RoHS compliant  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the **KSC2328AYTA** transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor