### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-320 (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-126  

### **Descriptions and Features:**  
- High voltage capability for switching and amplification applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for general-purpose amplifier and switching circuits.  
- Complementary PNP transistor: KSA916 (if used in push-pull configurations).  
- Pb-free and RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details.)