### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 320 (at IC = 150mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92 (Through-Hole)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High voltage capability with low saturation voltage.  
- Suitable for driver stages in audio amplifiers, power management circuits, and relay drivers.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheets for precise application requirements.)