NPN Epitaxial Silicon Transistor **KSC2316YTA Manufacturer: FAIRCHILD**  
### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- The KSC2316YTA is a high-voltage, high-speed NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for use in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- Manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 50V VCEO.  
- **High Current Gain (hFE):** Provides good linearity in amplification.  
- **Fast Switching Speed:** Transition frequency (fT) of 250MHz.  
- **Compact SOT-23 Package:** Ideal for space-constrained PCB designs.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in switching applications.  
(Note: Always verify datasheet details for exact application conditions.)