KSC2233

200 V, 4 A, NPN epitaxial silicon transistor Here are the factual details about part **KSC2233** from the manufacturer **FAIRCHILD**:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60–320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KSC2233** is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It comes in a **TO-126** package.  
- Suitable for use in power supplies, audio amplifiers, and other medium-power circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- High current gain  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  

For exact application notes or additional details, refer to the official **Fairchild Semiconductor datasheet**.

200 V, 4 A, NPN epitaxial silicon transistor