KSC2001GTA

NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSC2001GTA** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 300V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 300V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 320 (depending on conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The **KSC2001GTA** is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  
- The TO-92 package provides a compact and cost-effective solution for low-power applications.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (300V)  
- Medium current capability (1A)  
- High DC current gain range  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and linear amplification  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations or usage guidance.

NPN Epitaxial Silicon Transistor