NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSC1674CYTA** is manufactured by **Fairchild Semiconductor**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–320 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **KSC1674CYTA** is a high-voltage, low-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.

### **Features:**
- High voltage capability (V_CB = 60V, V_CE = 50V)  
- Low collector-emitter saturation voltage  
- High current gain (h_FE)  
- Fast switching speed  
- Compact SOT-23 package for PCB space efficiency  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the **KSC1674CYTA** transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor