### **Specifications:**  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 150mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 250mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-320 (at Ic=2mA, Vce=5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  

### **Descriptions:**  
- A general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits and high-frequency applications.  

### **Features:**  
- Low noise performance.  
- High current gain bandwidth product.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheets for precise application suitability.)