### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 150mA  
- **Power Dissipation (PD):** 250mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-400 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power, high-speed switching circuits.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained PCB designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed datasheet and performance curves, refer to the manufacturer's official documentation.