### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 300V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 300V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for general-purpose amplification and switching.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High breakdown voltage (300V) makes it useful in high-voltage circuits.  
- TO-92 package for easy mounting and prototyping.  

This transistor is commonly used in power supplies, inverters, and other high-voltage applications.