NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSC1008YTA** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 700mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 800mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 ~ 320  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power and medium-speed switching circuits.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability.  
- RoHS compliant.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the **KSC1008YTA** transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor