PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSB772YS** is manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** KSB772YS  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** PNP  
- **Package:** TO-126 (similar to TO-225AA)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -3A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60–160 (at I_C = -500mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KSB772YS** is a general-purpose PNP bipolar transistor designed for medium-power amplification and switching applications. It is housed in a TO-126 package, providing good thermal performance.

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for linear and switching applications.  
- Robust construction for reliable performance.  

For exact datasheet details, refer to Fairchild Semiconductor's official documentation.

PNP Epitaxial Silicon Transistor