PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSB564ACYTA** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** KSB564ACYTA  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (SC-59)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 350mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KSB564ACYTA** is a high-voltage PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a compact **SOT-23** package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- High voltage capability (up to -50V VCEO).  
- High current gain (hFE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage for better switching performance.  
- Suitable for low-power amplification and switching circuits.  

For exact performance characteristics, refer to the official **Fairchild datasheet**.

PNP Epitaxial Silicon Transistor