PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Here are the factual details about **part KSB1121-STF** from the manufacturer **SAMSUNG** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KSB1121-STF  
- **Type:** Electronic component (specific function not detailed in Ic-phoenix technical data files).  

### **Descriptions & Features:**  
- Ic-phoenix technical data files does not provide additional descriptions or features for this part.  

For further details, consult official SAMSUNG documentation or datasheets.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor **Part Number:** KSB1121-STF  
**Manufacturer:** FAIRCHILD  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 350mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for high-speed switching due to its transition frequency (fT).  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application-specific parameters.)

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor