**Part Number:** KSB1116GTA  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.04Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

**Descriptions:**  
The KSB1116GTA is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Suitable for power management and DC-DC converters  
- RoHS compliant  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications in your application.)

### **Specifications:**  
- **Type:** Semiconductor (Diode)  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Voltage Rating:** 16V  
- **Current Rating:** 1A  
- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.55V at 1A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.1µA (max) at 16V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Schottky Barrier Diode  
- Low forward voltage drop  
- High-speed switching  
- RoHS compliant  

### **Features:**  
- High efficiency  
- Low power loss  
- Compact SOD-123FL package  
- Suitable for high-frequency applications  

(Note: Always verify with the latest datasheet for accuracy.)