PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSA940-H2** is a PNP epitaxial planar transistor manufactured by **SEC (Samsung Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -150V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 ~ 140  
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High voltage capability suitable for power applications.  
- Complementary NPN type: **KSC2073**.  
- Epitaxial planar structure ensures reliability and performance.  
- Commonly used in audio amplifiers, power supplies, and motor control circuits.  

This information is based on SEC's official datasheet for the **KSA940-H2** transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor