PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSA928AYBU** is a **PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)**.  

### **Manufacturer:**  
- **Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor)**  

### **FSC (Federal Supply Code) Specifications:**  
- **FSCM (Federal Supply Class Manager):** 5961 (Semiconductor Devices)  
- **Part Number:** KSA928AYBU  

### **Descriptions and Features:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -120V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -120V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -50mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 240 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Package Type:** TO-92 (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching circuits  
- Low-power applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and FSC classification.

PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSA928AYBU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -120V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -120V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -50mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 240 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (SC-59)  

### **Descriptions:**  
- The **KSA928AYBU** is a high-voltage PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is suitable for low-power circuits requiring a small footprint due to its SOT-23 package.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (up to -120V V_CE)  
- **Low Noise** for signal amplification  
- **Compact SOT-23 Package** for space-constrained designs  
- **Wide h_FE Range** (60 to 240) for flexibility in circuit design  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

PNP Epitaxial Silicon Transistor