### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain bandwidth product.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Suitable for surface-mount applications due to SOT-23 package.  
- RoHS compliant.  

Let me know if you need further details.