Low Frequency Amplifier Here are the factual details about the part **KSA733G** manufacturer **FAILCHIL** from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -150mA
- **Power Dissipation (PD):** 300mW
- **DC Current Gain (hFE):** 60 ~ 320
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** SOT-23

### **Descriptions:**
- The **KSA733G** is a general-purpose PNP transistor designed for low-power amplification and switching applications.
- Manufactured by **FAILCHIL**, it is suitable for use in consumer electronics, signal processing, and small-signal amplification circuits.

### **Features:**
- High current gain (hFE) range for flexibility in circuit design.
- Low noise performance for signal processing applications.
- Compact SOT-23 package for space-constrained PCB designs.
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT) of 100MHz.

Let me know if you need any additional details.

Low Frequency Amplifier

Low Frequency Amplifier The part **KSA733G** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 625mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (at IC = -10mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 180MHz (Typical)  

### **Descriptions:**  
- The **KSA733G** is a general-purpose **PNP transistor** designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  
- The device is characterized by **high current gain (hFE)** and **low noise**, making it ideal for audio and signal processing circuits.  

### **Features:**  
- **High DC Current Gain (hFE)**  
- **Low Noise Performance**  
- **Complementary NPN Pair Available (KSC945G)**  
- **Epitaxial Planar Construction for Improved Reliability**  
- **Suitable for Switching and Amplification Circuits**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Low Frequency Amplifier