PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSA642GBU** is a **PNP Epitaxial Silicon Transistor** manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92 (Through-Hole)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-320 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power and medium-speed switching circuits.  
- Complementary NPN transistor: **KSC1845**.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSA642GBU transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor