PNP Epitaxial Silicon Transistor Here is the factual information about **part KSA642 manufacturer Fairchild** specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** KSA642  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 320 (at IC = 10mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Description:**  
The **KSA642** is a high-voltage, high-speed PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in audio amplifiers, signal processing circuits, and driver stages.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching capability  
- Suitable for low-noise amplifier applications  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSA642 transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor Here is the factual information about the part **KSA642** from the manufacturer **SAMSUNG**:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KSA642  
- **Type:** PNP Epitaxial Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 ~ 320 (at IC = -100mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The **KSA642** is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications.  
- It is suitable for low-power circuits and is commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver stages.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency for improved high-frequency performance  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. Let me know if you need further details.

PNP Epitaxial Silicon Transistor