PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSA473YTU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** KSA473YTU  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -4A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 320 (at IC = 1A, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High current capability** (up to 4A).  
- **Low saturation voltage** for efficient switching.  
- **High DC current gain (hFE)** for improved performance in amplification applications.  
- **Isolated TO-220F package** for better thermal dissipation and electrical isolation.  
- **Suitable for power amplification and switching circuits.**  

For exact application details, refer to the official datasheet from FAIRCHILD.

PNP Epitaxial Silicon Transistor