PNP Epitaxial Silicon Transistor Part **KSA1381ESTU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 300V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 300V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (IC): 1A  
  - Base Current (IB): 0.1A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 400 (varies with conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92 (Through-Hole)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Suitable for general-purpose amplification and switching circuits.  
- Commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (300V).  
- Fast switching speed.  
- Low saturation voltage.  
- High current gain (hFE).  
- Reliable performance in a compact TO-92 package.  

For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet.

PNP Epitaxial Silicon Transistor