### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -120V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -120V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 240 (at I_C = -0.5A, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- High-voltage PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Suitable for power management and driver circuits.  
- Surface-mount package (TO-252) for compact PCB designs.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application suitability.)