### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (depending on conditions)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High voltage capability with low saturation voltage.  
- Fully insulated TO-220F package for improved thermal performance and safety.  
- Suitable for power supply, audio, and industrial applications.  
- Compliant with RoHS standards.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.