**Part Number:** KSA1220AYSTSTU  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 240 (depending on operating conditions)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-89  

### **Descriptions:**  
The KSA1220AYSTSTU is a high-voltage PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It features a high current capability and low saturation voltage, making it suitable for power management circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- Compact SOT-89 package for space-saving designs  
- Suitable for switching and amplification in various electronic circuits  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSA1220AYSTSTU transistor.