PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KSA1220AOS** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -120V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -120V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Junction Temperature (T_J):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 240 (at I_C = 0.5A, V_CE = -5V)  

### **Description:**  
The **KSA1220AOS** is a high-voltage PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It features a high current capability and low saturation voltage, making it suitable for power control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (up to -120V)  
- **High Current Gain (h_FE)**  
- **Low Saturation Voltage**  
- **Complementary NPN Type Available (KSC2690AOS)**  
- **TO-126 Package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

PNP Epitaxial Silicon Transistor