### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -120V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -120V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 240  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High voltage capability with low saturation voltage.  
- Suitable for use in power management circuits, audio amplifiers, and driver stages.  
- Compliant with RoHS standards.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)