KSA1182YMTF

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.625W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 70 to 240 (at I_C = -0.1A, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE).  
- Low saturation voltage.  
- Fast switching speed.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)