### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.625W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 70 to 240 (at I_C = -0.1A, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE).  
- Low saturation voltage.  
- Fast switching speed.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)

**Part Number:** KSA1182YMTF  

**Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -0.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 0.625W  
- **DC Current Gain (hFE):** 70 to 240 (at IC = -100mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
The KSA1182YMTF is a high-voltage PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact PCB designs.  

**Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency (fT)  
- Small SOT-23 package for space-saving designs  
- Suitable for low-power applications

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -150mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 ~ 400 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications in compact circuits.  
- RoHS compliant and lead-free.  

For exact performance characteristics, refer to the official **KEC datasheet**.