### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -0.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 0.5W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 320 (at IC = 10mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain bandwidth product.  
- Low saturation voltage.  
- Suitable for audio and signal processing circuits.  
- Available in TO-92 package.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)