**Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -150mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 120~400 (at VCE = -5V, IC = -2mA)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)  

**Descriptions:**  
The KSA1175YTA is a high-voltage PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It features low noise and high current gain, making it suitable for audio and signal processing circuits.  

**Features:**  
- High DC current gain (hFE)  
- Low noise performance  
- Suitable for low-power applications  
- Epitaxial planar construction for reliability  
- Compact SOT-23 package for space-saving designs  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet.