PNP Epitaxial Silicon Transistor Part **KSA1175GTA** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (PC):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -100mA)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (min)  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits requiring high-speed performance.  
- Encased in a **TO-92** package for easy mounting.  

### **Features:**  
- **High DC Current Gain (hFE)** for improved amplification.  
- **Low Saturation Voltage** for efficient switching.  
- **Fast Switching Speed** due to high transition frequency (fT).  
- **Reliable Performance** with a wide operating temperature range.  

This information is strictly based on manufacturer-provided data. For detailed application notes, refer to the official **KEC datasheet**.

PNP Epitaxial Silicon Transistor